Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (5)Реферативна база даних (10)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Кевшин А$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 14
Представлено документи з 1 до 14
1.

Галян В. В. 
Зелена, червона й інфрачервона люмінесценція в склоподібних сплавах системи Ag0.05Ga0.05Ge0.95S2-Er2S3 [Електронний ресурс] / В. В. Галян, А. Г. Кевшин, Г. Є. Давидюк, М. В. Шевчук // Журнал фізичних досліджень. - 2012. - Т. 16, Число 3. - С. 3705-1-3705-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2012_16_3_10
Попередній перегляд:   Завантажити - 437.156 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Кевшин А. Г. 
Особливості структури халькогенідних стекол на базі GeX2 (X=S, Se) (Огляд) [Електронний ресурс] / А. Г. Кевшин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 4. - С. 682-688. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_4_3
Проаналізовано різні літературні джерела, в яких описано основні методи вивчення та надано результати експериментальних досліджень структури деяких халькогенідних стекол, одержаних на базі GeX2 (X = S, Se). Встановлено, що в структурі стекол синтезованих на базі дисульфіду та диселеніду германію приймають участь як ланцюжки і кільця, утворені халькогеном, так і тетраедричні структурні одиниці GeX4/2.
Попередній перегляд:   Завантажити - 303.217 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Галян В. В. 
Безконтактні оптичні термосенсори на основі монокристалу (Ga54.59In44.66Er0.75)2S300 [Електронний ресурс] / В. В. Галян, І. А. Іващенко, А. Г. Кевшин, І. Д. Олексеюк, А. П. Третяк, П. В. Тищенко // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2018. - Т. 15, № 1. - С. 44-52. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2018_15_1_7
Методом розчину-розплаву у вертикальній двозонній печі вирощено монокристал (Ga54,59In44,66Er0,75)2S300. В спектрі оптичного поглинання монокристалу (Ga54,59In44,66Er0,75)2S300. Ідентифіковано максимуми, що відповідають переходам в 4f оболонці іонів Ербію. Досліджено спектри фотолюмінесценції за температури 150, 200, 250, 300 К при збудженні лазером із довжиною хвилі 980 нм. Зафіксовано, що максимуми випромінювання (805, 1540 нм) не змінюють положення та форму при зміні температури. На основі діаграми енергетичних рівнів в Er<^>3+ іонах встановлено механізм випромінювання, а також пояснено зростання інтегральної інтенсивності фотолюмінесценції при збільшенні температури. Обчислено чутливість максимумів випромінювання монокристалу (Ga54,59In44,66Er0,75)2S300 від температури.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.042 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Олексеюк І. Д. 
Склоутворення в квазіпотрійній системі La2S3–Er2S3–Ga2S3 та властивості стекол [Електронний ресурс] / І. Д. Олексеюк, І. А. Іващенко, І. В. Данилюк, В. В. Галян, А. Г. Кевшин, П. В. Тищенко // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія : Хімія. - 2017. - Вип. 2. - С. 18-21. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuuchem_2017_2_7
У квазіпотрійній системі Ag2Se - Ga2Se3 - GeSe2 у процесі загартування розплаву від 1300 К, встановлено дві області існування стекол. Перша з них простягається в середину концентраційного трикутника від квазіподвійної системи Ga2Se3 - GeSe2. Максимальні кількості Ga2Se3 і Ag2Se в ній становлять 28 і 10 % (мол.) відповідно. Друга область локалізована поблизу подвійної евтектики системи Ag2Se - GeSe2 і містить максимально 45 % (мол.) Ag2Se, 6 % (мол) Ga2Se3 та 56 % (мол.) GeSe2. Для склоподібних сплавів визначено характеристичні параметри (Tg, Tc, Tm) і на їх основі обчислено Tgr та KG.
Попередній перегляд:   Завантажити - 8.849 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Іващенко І. А. 
Фазові рівноваги в системах La2S3 – Ga2S3 – In2S3, Y(Ho,Pr)3Ga1,67S7 – La3Ga1,67S7, La3In1,67S7 – La3Ga1,67S7, Pr3In1,67S7 – La3In1,67S7 при 770 К та фізичні властивості монокристалів (Ga70La30)2S300, (Ga69,75La29,75Er0,5)2S300 [Електронний ресурс] / І. А. Іващенко, П. В. Тищенко, В. В. Галян, А. Г. Кевшин, В. С. Козак, І. Д. Олексеюк // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія : Хімія. - 2017. - Вип. 2. - С. 53-57. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuuchem_2017_2_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.01 Mb    Зміст випуску     Цитування
6.

Давидюк Г. Є. 
Ефективність інфрачервоної люмінесценції в стеклах системи Ag0,05Ga0,05Ge0,95S2–Er2S3 при збудженні довжинами хвиль 532 та 980 нм [Електронний ресурс] / Г. Є. Давидюк, В. В. Галян, А. Г. Кевшин, М. В. Шевчук, С. В. Воронюк // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2012. - № 3. - С. 47-52. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2012_3_8
Склоподібні сплави, активовані іонами рідкісноземельних елементів, становлять значний інтерес для розвитку оптичного зв'язку під час виготовлення оптичних підсилювачів і мікролазерів. Особливу увагу приділяють стеклам, легованим ербієм, оскільки довжина хвилі випромінювання іонів ербію (1,54 мкм) є оптимальною для передачі інформації по волоконно-оптичних лініях зв'язку. У спектральному діапазоні 1450 - 1650 нм за кімнатної температури досліджено спектри люмінесценції і оптичного поглинання стекол (100 - X)Ag0,05Ga0,05Ge0,95S2 - (X)Er2S3, де Х = 0,42, 0,25, 0,18 мол. %. Збудження люмінесценції проведено довжиною хвилі 532 і 980 нм за різної потужності збудження. Вищу інтенсивність люмінесценції у разі однакової потужності збудження зафіксовано за <$E lambda sub roman зб~=~980> нм. Зафіксовану нелінійну залежність інтенсивності фотолюмінесценції від потужності збудження обумовлено апконверсійними процесами.
Попередній перегляд:   Завантажити - 811.19 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Кевшин А. 
Особливості оптичних властивостей халькогенідних стекол та сильно дефектних монокристалічних халькогенідних сполук групи AIIBVI [Електронний ресурс] / А. Кевшин // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2013. - № 2. - С. 35-40. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2013_2_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 236.152 Kb    Зміст випуску     Цитування
8.

Кевшин А. 
Люмінесцентні властивості халькогенідних стекол, легованих рідкоземельними елементами [Електронний ресурс] / А. Кевшин // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2013. - № 26. - С. 15-21. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2013_26_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 284.002 Kb    Зміст випуску     Цитування
9.

Галян В. В. 
Вплив температури на оптичні властивості стекол Ag0.05Ga0.05Ge0.95S2, леґованих ербієм [Електронний ресурс] / В. В. Галян, А. Г. Кевшин, М. В. Шевчук, С. А. Федосов, П. П. Шигорін // Журнал фізичних досліджень. - 2016. - Т. 20, Число 3. - С. 3401-1-3401-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2016_20_3_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 382.583 Kb    Зміст випуску     Цитування
10.

Замуруєва О. В. 
Підвищення фотопровідності кристалів халькогеніду індинату талію (TlInSe2) [Електронний ресурс] / О. В. Замуруєва, А. Г. Кевшин, А. М. Коровицький, С. А. Федосов // Перспективні технології та прилади. - 2018. - Вип. 12. - С. 67-71. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ptp_2018_12_12
Попередній перегляд:   Завантажити - 491.07 Kb    Зміст випуску     Цитування
11.

Кевшин А. Г. 
Процеси трансформації енергії в активованих йонами Er3+ лазерних матеріалах (Огляд) [Електронний ресурс] / А. Г. Кевшин, В. В. Галян, Т. А. Семенюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 245-252. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_2_3
Проаналізовано різні літературні джерела, в яких описано основні процеси трансформації енергії в активованих іонами Er<^>3+ лазерних матеріалах. Встановлено, що в базі цих процесів лежать ап-конверсійні і крос-релаксаційні переходи, які надають можливість реалізувати генерацію в ербієвих лазерах. Ефективним сенсибілізатором для іонів ербію є іони ітербію, які за рахунок безвипромінювального перенесення збудження ефективно передеють енергію йонам Er<^>3+.
Попередній перегляд:   Завантажити - 585.448 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
12.

Галян В. В. 
Вплив заміни S на Se на спектри оптичного поглинання склоподібних сплавів Ag1,6Ga1,6Ge31,2S61,6-xSex [Електронний ресурс] / В. В. Галян, А. Г. Кевшин, І. А. Іващенко, М. В. Шевчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17, № 3. - С. 342-345. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2016_17_3_6
Досліджено спектри оптичного поглинання склоподібних сплавів Ag1,6Ga1,6Ge31,2S61,6-xSex у спектралному інтервалі 400 - 1000 нм за температур 80 і 300 K. Встановлено, що у разі збільшення вмісту Se відбувається зменшення ширини енергетичної щілини стекол. У зразках за x = 13,1, 19,7, 26,2, 32,8, 45,9, 52,5 за температури 80 K зафіксовано фотолюмінесценцію з розмитим максимумом і напівшириною смуги випромінювання ΔE ≈ 0,26 - 0,30 еВ, що є характерною для рекомбінаційної люмінесценції невпорядкованих систем. Особливості спектрів оптичного поглинання та фотолюмінесценції узгоджуються з моделлю Мотта і Девіса про локалізацію енергетичних станів у невпорядкованих системах.
Попередній перегляд:   Завантажити - 890.706 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
13.

Галян В. В. 
Люмінесценція неопроміненого та γ-опроміненого монокристалу (Ga69,5La29,5Er)2S300 [Електронний ресурс] / В. В. Галян, А. Г. Кевшин, І. А. Іващенко, С. А. Федосов, О. О. Лебедь, І. Д. Олексеюк, П. В. Тищенко, А. Б. Тимошук // Наукові нотатки. - 2018. - Вип. 64. - С. 23-27. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nn_2018_64_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 554.878 Kb    Зміст випуску     Цитування
14.

Галян В. В. 
Механізм фотолюмінесценції монокристалу (Ga54.59In44.66Er0.75)2S300 [Електронний ресурс] / В. В. Галян, І. А Іващенко, І. Д. Олексеюк, С. А. Федосов, А. П. Третяк, І. В. Данилюк, О. О. Лебедь, А. Г. Кевшин, П. В. Тищенко // Перспективні технології та прилади. - 2019. - Вип. 14. - С. 51-57. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ptp_2019_14_10
Попередній перегляд:   Завантажити - 478.656 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського